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正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过鉴定，中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
德国欧派克模块系列 ：FZ200R12KF2、FZ300R12KF2、FZ400R12KF2、FZ800R12KF4、FZ800R16KF4、FZ800R33KF1、FZ1200R12KF4、FZ1200R16KF4、FZ1200R25KF1（KF4）、FZ1200R33KF1、FZ1600R12KF4、FZ1800R12KF4、FZ900R16KF1、FZ1000R12KF4、FZ1800R16KF4、FZ2400R12KF4。
2U（双管）：FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF400R16KF4、FF400R33KF1、FF600R12KF4、FF600R16KF4、FF800R12KF4、FF800R17KF6B2。FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF300R12KS4 FF900R121T4/FF900R1P4/
斩波IGBT：FD400R12KF4、FD400R16KF4、FD400R17KF6B2、FD400R33KF1、FD600R12KF4、FD600R17KF6B2、FD600R17KF6、FD800R17KF6B2、FD800R33KF1。
四单元IGBT：F4-300R12KF4、F4-400R12KF4、F4-400R12KS4-B2。IGBT：1U（单管）BSM200GA120DN2、BSGA120DN2、BSM400GA120DN2、BSM200GA170DN2、BSGA170DN2、BSM100GAL120D、BSM100GAR120D、BSM150GAL120D、BSM150GAR120D、BSM200GAL120D、BSM200GAR120D、BSM400GA120DN2（DLC）、BSM400GA170DN2（DLC）。
2U（双管）：BSM50GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB120DLC、BSM25GB120DN2、BSM35GB120DN2（DLC）、BSM50GB100D、BSM50GB120DN2（DLC）、BSM75GB120DN2（DLC）、BSM100GB120DN2K（DLCK）、BSM100GB120DN2（DLC）、BSM75GB170DN2、BSM100GB170DN2、BSM150GB170DN2（DLC）、BSM200GB170DLC、BSM150GB120DN2、BSM150GB120DLC、BSM150GB120DN11、BSM200GB120DN2（DLC）、BSGB120DN2（DLC）
供应英国WESTCODE西码相控可控硅及R系列快速可控硅和整流二极管系列产品.N105PH12.N105RH12 ,N018PH12.N023PH12 N086PH12,N170PH12.N195PH12.N320CH40,N275PH12.N280CH06,N330KH12.N370MH12,R200SH16-21 R219SH08-12 R220SH08-12 R270SH04-08 D315CH32-36 R305SH14-21 D350SH24-26可接订单，标价仅供参考，当日询问下单为准，苏州阜晶电子科技有限公司供应：英国西码圆盘式晶闸管 陶瓷二极管系列，IXYS 可控硅大电流模块。日本sanRex三社可控硅整流模块。 德国西门康可控硅IGBT模块 ，英飞凌，(优佩克) IGBT，可控硅模块 .Fairchild ，Sirectifier ，东芝，三菱，富士，达林顿，GTR，IGBT, IPM，PIM模块，快恢复二极管，整流桥，美国IR公司系列，场效应管.可控硅模块.
供应德国赛米控可控硅，SKKT92/16E西门康模块SKKT460/22EH,1600-2200v，TC.85°C，0VT.To@T,jmax0.88v.rt@等SKKT57/12E、SKKT57/16E、SKKT72/12E、SKKT72/16E、SKKT91/16E、SKKT106/16E、SKKT92/12E、SKKT106/12E、SKKT106/16E、SKKT132/12E、SKKT132/16E、SKKT162/12E、SKKT162/16E、SKKT210/16E、SKKT250/12E、SKKT250/16E、SKKT253/12E、SKKT253/16E、SKKT330/12E、SKKT330/16E、SKKT570/12E、SKKT570/16E。可接订单，欢迎致电当日下单询问为准。
本公司供应原装赛米控平板可硅硅， SKT760参数1200V，电流760A TC:85°，TJ=25°V:1.65.tj ° —40+125度。SKT240/400-18E ,SKT340 电压 800-1800V， SKT491，电流490A 电压400-1800v，SKT551 电流550A 电压800-1800v， 电流550A ,SKT340/16，SKT160/16E.SKT600，SKT760/16E，SKT1000/16E，SKT1400/16E，SKT1800/16E，SKT2000/16E.
在使用IGBT模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅驱动电压没有**过栅大额定电压，但栅连线的寄生电感和栅与集电间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅—发射间开路时，若在集电与发射间加上电压，则随着集电电位的变化，由于集电有漏电流流过，栅电位升高，集电则有电流流过。这时，如果集电与发射间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
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